突发！对重要芯片材料出口管制！，最新消息，商务部、海关总署发布《关干对镓、锗相关物项实施出口管制的公告》，其中提到，根据《中华人民共和国出口管制法》《中华人民共和国对外贸易法》《中华人民共和国海关法》有关规定，为维护国家安全和利益，经国务院[详情]

杭州道铭微集成电路及功率器件系统集成封装新建一期厂房开工，5月28日，杭州道铭微电子有限公司（以下简称“道铭微”）集成电路及功率器件系统集成封装新建一期厂房开工仪式在杭州综合保税区内举行。 资料显示，杭州道铭微电子有限公司成立于202[详情]

铠侠宣布运营两个新研发设施，加强闪存和SSD研发能力，6月1日，铠侠宣布开始运营两个新的研发设施——位于横滨技术园区的旗舰大楼和ShinKoyasu技术前沿——以加强公司在闪存和固态硬盘（SSD）方面的研发能力。未来，神奈川县的其他研发职[详情]

铠侠宣布第二代UFS4.0产品开始送样，适用于各种下一代移动应用，5月31日，存储大厂铠侠宣布第二代、更高性能的UFS4.0嵌入式闪存设备已开始送样。以小封装尺寸提供快速的嵌入式存储传输速度，适用于各种下一代移动应用。铠侠UFS产品性能的改[详情]

芯资讯：未来，汽车芯片行业也将成为存储军们新的战略重地，先从易失性存储器DRAM和SRAM来讲，含义上，DRAM是动态随机存取存储器，是与CPU直接交换数据的内部存储器，简称内存，其处理速度较快，但一旦断电，存储的数据便会丢失，数据保留时间[详情]

芯资讯：发展半导体芯片业务，索尼或在日本熊本建第二座工厂，据彭博社报道，5月25日，索尼集团将为其芯片业务收购日本熊本县约27公顷的土地。另有当地媒体报道称，索尼将在此地建造其在熊本的第二家制造厂，并可能会投资数千亿日元。 报道称，索尼计[详情]

OPB875P55，参数信息 参数参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.125"（3.18mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流-DC正向（If） 50mA 电流[详情]

OPB854A3，参数信息 参数参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 有源 感应距离 0.100"（2.54mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流-DC正向（If） 50mA 电流[详情]

第三代半导体企业完成超5亿元B轮融资，近期，瀚薪科技完成由建信(北京)投资基金（系建设银行控股子公司）领投的超5亿元B轮融资。 据介绍，瀚薪科技是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高新技术企业，是国内极少数能够[详情]

芯资讯：又拿下关键一环，国产SiC设备加速崛起，近期，德龙激光在投资者互动平台回复投资者表示，公司已完成SiC晶锭切片技术的工艺研发和测试验证，并取得了头部客户批量订单，这条回复的背后意味着国产碳化硅产业链又在一关键领域取得占位。 01 [详情]

芯资讯：苹果与博通合作/英特尔披露AI芯片规划...大厂最新动态捕获，近日，苹果、博通、英特尔、三星、台积电、Rapidus传来最新动态。例如苹果与博通达成价值数十亿美元的新协议，加码研发5G射频组件；英特尔披露了其AI芯片大战前景规划；三[详情]

EE-SX1041，参数信息 参数参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 有源 感应距离 0.197"（5mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流-DC正向（If） 50mA 电流-[详情]

EE-SX1035，参数信息 参数参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 有源 感应距离 0.205"（5.2mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流-DC正向（If） 50mA 电流[详情]

RPI-125，参数信息 参数参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 有源 感应距离 0.047"（1.2mm） 感应方法 - 输出配置 光电晶体管 电流-DC正向（If） 50mA 电流-集电极[详情]

芯资讯：KLA护航化合物功率半导体器件上车之路，零缺陷与持续改进计划助力车规级芯片质量及可靠性，多样晶圆检测系统让全流程中缺陷无所遁形，深度学习模型识别不同晶圆缺陷，更准确，更灵敏，专属配套软件服务适应现场不同量测检测需求，有效调节修正准确[详情]

OPB881P55，参数信息 参数参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.125"（3.18mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流-DC正向（If） 50mA 电流[详情]

EE-SX954-R1M，参数信息 参数参数值 包装 散装 系列 EE-SX95 零件状态 有源 感应距离 0.197"（5mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 NPN-暗光/亮光-可选 电流-D[详情]

芯资讯：客户对2nm期望更高！消息称台积电多家客户修正制程计划，据媒体引述半导体设备业者表示，2023全年，台积电3nm产能仍以N3（N3B）为主，整体良率接近75%。 根据报道，由于台积电3nm在PPA表现下与4nm差异不大，且3nm报[详情]

OPB875L51，参数信息 参数参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.125"（3.18mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流-DC正向（If） 50mA 电流[详情]

OPB892L55，参数信息 参数参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.125"（3.18mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流-DC正向（If） 50mA 电流[详情]